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IRF5810中文资料

IRF5810图片

IRF5810外观图

  • 大小：208.72KB
  • 厂家：IRF [International Rectifier]
  • 描述：Power MOSFET(Vdss=-20V)
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：HEXFET?
  • 包装：管件
  • 产品状态：停产
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 配置：2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：20V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：2.9A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：90 毫欧 @ 2.9A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.6nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：650pF @ 16V
  • 功率 - 最大值：960mW
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商器件封装：6-TSOP

IRF5810供应商

更新时间:2023-01-09 19:16:36
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